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文献
J-GLOBAL ID：200902104012877120
整理番号：00A0371901
パルスレーザ成長により形成されたアニール処理AlN膜の性質
The Properties of Annealed AlN Films Deposited by Pulsed Laser Deposition.
JONES K A
(U.S. Army Res. Lab., MD)
,
DERENGE M A
(U.S. Army Res. Lab., MD)
,
ZHELEVA T S
(U.S. Army Res. Lab., MD)
,
KIRCHNER K W
(U.S. Army Res. Lab., MD)
,
ERVIN M H
(U.S. Army Res. Lab., MD)
,
WOOD M C
(U.S. Army Res. Lab., MD)
,
VISPUTE R D
(Univ. Maryland, MD)
,
SHARMA R P
(Univ. Maryland, MD)
,
VENKATESAN T
(Univ. Maryland, MD)
資料名：
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻： 29 号： 3 ページ： 262-267 発行年： 2000年03月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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