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文献
J-GLOBAL ID：200902104048000640
整理番号：00A0667190
縮尺されたn-およびp-MOSFETの低電圧動作におよぼす電子および正孔反転層の影響
Impact of Electron and Hole Inversion-Layer Capacitance on Low Voltage Operation of Scaled n- and p-MOSFET’s.
TAKAGI S
(Advanced LSI Technol. Lab., Yokohama, JPN)
,
TAKAYANAGI M
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
TORIUMI A
(Advanced LSI Technol. Lab., Yokohama, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 47 号： 5 ページ： 999-1005 発行年： 2000年05月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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