文献
J-GLOBAL ID:200902104059567677
整理番号:93A0276261
非常に高いfTを有するMOVPEで成長したInAlAs/InGaAs/InP MODFET
MOVPE-grown InAlAs/InGaAs/InP MODFETs with very high fT.
著者 (6件):
NUMMILA K
(Univ. Illinois, IL, USA)
,
TONG M
(Univ. Illinois, IL, USA)
,
KETTERSON A
(Univ. Illinois, IL, USA)
,
ADESIDA I
(Univ. Illinois, IL, USA)
,
CANEAU C
(Bell Communication Research, NJ, USA)
,
BHAT R
(Bell Communication Research, NJ, USA)
資料名:
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻:
29
号:
3
ページ:
274-275
発行年:
1993年02月04日
JST資料番号:
A0887A
ISSN:
0013-5194
CODEN:
ELLEAK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)