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文献
J-GLOBAL ID：200902104083948860
整理番号：00A0164508
InGaAsPレーザダイオード中の放射誘起格子欠陥とデバイス性能についてのそれらの効果
Radiation-induced lattice defects in InGaAsP laser diodes and their effects on device performance.
OHYAMA H
(Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN)
,
SIMOEN E
(IMEC, Leuven, BEL)
,
CLAEYS C
(IMEC, Leuven, BEL)
,
HAKATA T
(Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN)
,
YONEOKA M
(Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN)
,
KOBAYASHI K
(Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN)
,
NAKABAYASHI M
(Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN)
,
TAKAMI Y
(Rikkyo Univ., Kanagawa, JPN)
,
SUNAGA H
(Takasaki JAERI, Gunma, JPN)
資料名：
Physica B. Condensed Matter
(Physica B. Condensed Matter)
巻： 273/274 ページ： 1031-1033 発行年： 1999年12月
JST資料番号： H0676B ISSN： 0921-4526 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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