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文献
J-GLOBAL ID：200902104152360934
整理番号：02A0829280
4H炭化けい素エピタクシーにおける転位の変換
Dislocation conversion in 4H silicon carbide epitaxy.
HA S
(Carnegie Mellon Univ., PA, USA)
,
MIESZKOWSKI P
(Carnegie Mellon Univ., PA, USA)
,
SKOWRONSKI M
(Carnegie Mellon Univ., PA, USA)
,
ROWLAND L B
(Sterling Semiconductors, Inc., VA, USA)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 244 号： 3/4 ページ： 257-266 発行年： 2002年10月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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