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文献
J-GLOBAL ID：200902104349480427
整理番号：99A0442151
放出波長が1.28~1.38μmの範囲の(GaIn)(NAs)/GaAs量子井戸レーザのしきい値電流密度の低減
Reduced threshold current densities of (Galn)(NAs)/GaAs single quantum well lasers for emission wavelengths in the range 1.28-1.38μm.
HOEHNSDORF F
(Philipps Univ., Marburg, DEU)
,
KOCH J
(Philipps Univ., Marburg, DEU)
,
LEU S
(Philipps Univ., Marburg, DEU)
,
STOLZ W
(Philipps Univ., Marburg, DEU)
,
BORCHERT B
(Siemens AG, Muenchen, DEU)
,
DRUMINSKI M
(Siemens AG, Muenchen, DEU)
資料名：
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻： 35 号： 7 ページ： 571-572 発行年： 1999年04月01日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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