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文献
J-GLOBAL ID：200902104413413674
整理番号：98A0807091
γ線照射による6H-SiC MOSトランジスタ中の界面トラップと酸化物トラップ電荷の生成
Generation of Interface Traps and Oxide-Trapped Charge in 6H-SiC Metal-Oxide-Semiconductor Transistors by Gamma-Ray Irradiation.
OHSHIMA T
(Japan Atomic Energy Res. Inst., Gunma, JPN)
,
YOSHIKAWA M
(Japan Atomic Energy Res. Inst., Gunma, JPN)
,
ITOH H
(Japan Atomic Energy Res. Inst., Gunma, JPN)
,
AOKI Y
(Japan Atomic Energy Res. Inst., Gunma, JPN)
,
NASHIYAMA I
(Japan Atomic Energy Res. Inst., Gunma, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 37 号： 8B ページ： L1002-L1004 発行年： 1998年08月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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