文献
J-GLOBAL ID:200902104485266005
整理番号:02A0862171
順バイアス4H-SiC p-nダイオードにおける再結合促進欠陥運動
Recombination-enhanced defect motion in forward-biased 4H-SiC p-n diodes.
著者 (6件):
SKOWRONSKI M
(Carnegie Mellon Univ., Pennsylvania)
,
LIU J Q
(Carnegie Mellon Univ., Pennsylvania)
,
VETTER W M
(State Univ. New York at Stony Brook, New York)
,
DUDLEY M
(State Univ. New York at Stony Brook, New York)
,
HALLIN C
(ABB Corporate Res., Vaesteras, SWE)
,
LENDENMANN H
(ABB Corporate Res., Vaesteras, SWE)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
92
号:
8
ページ:
4699-4704
発行年:
2002年10月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)