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文献
J-GLOBAL ID：200902104493597142
整理番号：99A0196109
(100)Si基板上の10nm厚c軸配向エピタキシャルPbZr0.25Ti0.75O薄膜の成長と特性評価
Growth and characterization of 10-nm-thick c-axis oriented epitaxial PbZr0.25Ti0.75O3 thin films on (100)Si substrate.
MARUYAMA T
(Hewlett-Packard Lab., Kawasaki-shi, JPN)
,
SAITOH M
(Hewlett-Packard Lab., Kawasaki-shi, JPN)
,
SAKAI I
(Hewlett-Packard Lab., Kawasaki-shi, JPN)
,
HIDAKA T
(Hewlett-Packard Lab., Kawasaki-shi, JPN)
,
YANO Y
(TDK Corp., Ichikawa-shi, JPN)
,
NOGUCHI T
(TDK Corp., Ichikawa-shi, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 73 号： 24 ページ： 3524-3526 発行年： 1998年12月14日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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