文献
J-GLOBAL ID:200902104493932936
整理番号:94A0139206
強誘電性薄膜集積化のためのシリコン上Pt/Ti二層メタライゼーションの研究
Investigation of Pt/Ti bilayer metallization on silicon for ferroelectric thin film integration.
著者 (6件):
SREENIVAS K
(Swiss Federal Inst. Technology, Lausanne)
,
REANEY I
(Swiss Federal Inst. Technology, Lausanne)
,
MAEDER T
(Swiss Federal Inst. Technology, Lausanne)
,
SETTER N
(Swiss Federal Inst. Technology, Lausanne)
,
JAGADISH C
(Australian National Univ., ACT, AUS)
,
ELLIMAN R G
(Australian National Univ., ACT, AUS)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
75
号:
1
ページ:
232-239
発行年:
1994年01月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)