文献
J-GLOBAL ID:200902104536272498
整理番号:97A0046057
フローティングゲートを持つ不揮発性強誘電体記憶素子
A nonvolatile ferroelectric memory device with a floating gate.
著者 (4件):
CHEN F Y
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
FANG Y K
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
SUN M J
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
CHEN J-R
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
69
号:
21
ページ:
3275-3276
発行年:
1996年11月18日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)