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文献
J-GLOBAL ID：200902104566957568
整理番号：95A0150282
エピタキシャル強誘電体/伝導性ペロブフカイトヘテロ構造の漏れ電流における再現性のあるメモリ効果
Reproducible memory effect in the leakage current of epitaxial ferroelectric/conductive perovskite heterostructures.
WATANABE Y
(Mitsubishi Chemical, Yokohama, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 66 号： 1 ページ： 28-30 発行年： 1995年01月02日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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