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文献
J-GLOBAL ID：200902104595479047
整理番号：93A0584533
MOSデバイスにおける薄いゲート酸化物の可逆性絶縁降伏
Reversible dielectric breakdown of thin gate oxides in MOS devices.
SUNE J
(Univ. Autonoma de Barcelona, Belleterra, ESP)
,
NAFRIA M
(Univ. Autonoma de Barcelona, Belleterra, ESP)
,
AYMERICH X
(Univ. Autonoma de Barcelona, Belleterra, ESP)
資料名：
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻： 33 号： 7 ページ： 1031-1039 発行年： 1993年05月
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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