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文献
J-GLOBAL ID：200902104661422221
整理番号：99A0770128
GaN膜の成長の極性方向の共軸衝突イオン散乱分光法による分析
Analysis of the polar direction of GaN film growth by coaxial impact collision ion scattering spectroscopy.
SUMIYA M
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
TANAKA M
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
OHTSUKA K
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
FUKE S
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
OHNISHI T
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
OHKUBO I
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
YOSHIMOTO M
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
KOINUMA H
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
KAWASAKI M
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 75 号： 5 ページ： 674-676 発行年： 1999年08月02日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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