文献
J-GLOBAL ID:200902104699497993
整理番号:93A0343349
GaAs/AlGaAs/GaAs単一障壁ヘテロ接合ダイオードにおける電子トンネル効果 電子-フォノン相互作用効果
Electron tunnelling in GaAs/AlGaAs/GaAs single-barrier heterojunction diodes: electron-phonon interaction effects.
著者 (2件):
MORI N
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
HAMAGUCHI C
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
8
号:
2
ページ:
197-205
発行年:
1993年02月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)