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文献
J-GLOBAL ID：200902104733842891
整理番号：93A0491231
Fabrication of thin GaAs quantum wires (~10nm) by MOCVD selective growth.
TSUKAMOTO S
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
NAGAMUNE Y
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
NISHIOKA M
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
ARAKAWA T
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
KONO T
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
ARAKAWA Y
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
Institute of Physics Conference Series
(Institute of Physics Conference Series)
号： 129 ページ： 929-930 発行年： 1993年
JST資料番号： E0403B ISSN： 0305-2346 CODEN： IPHSAC 資料種別： 会議録 (C)
発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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