文献
J-GLOBAL ID:200902104734969275
整理番号:93A0304324
高速気相直接ドーピングによるシリコン中での極めて浅い接合の形成
Formation of ultra-shallow junctions in silicon by rapid vapor-phase direct doping(RVD).
著者 (3件):
KIYOTA Y
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
NAKAMURA T
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
INADA T
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
資料名:
Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement
(Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement)
号:
11
ページ:
7-14
発行年:
1993年03月
JST資料番号:
L0263A
ISSN:
0914-2908
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)