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文献
J-GLOBAL ID：200902104853611060
整理番号：99A0830695
炭素添加によるSiGeヘテロ接合バイポーラトランジスタのプロセスマージンの増加
Increasing Process Margin in SiGe Heterojunction Bipolar Technology by Adding Carbon.
OSTEN H J
(Inst. Semiconductor Physics, Frankfult, DEU)
,
KNOLL D
(Inst. Semiconductor Physics, Frankfult, DEU)
,
HEINEMANN B
(Inst. Semiconductor Physics, Frankfult, DEU)
,
SCHLEY P
(Inst. Semiconductor Physics, Frankfult, DEU)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 46 号： 9 ページ： 1910-1912 発行年： 1999年09月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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