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文献
J-GLOBAL ID：200902104898943897
整理番号：00A0154847
RFプラズマ増強化学蒸着により新しいフルオロカーボン原料から作製した低誘電率ふっ素化炭素薄膜
Fluorinated Carbon Films with Low Dielectric Constant Made from Novel Fluorocharbon Source Materials by RF Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition.
LUNGU C P
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
LUNGU A M
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
AKAZAWA M
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
SAKAI Y
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
SUGAWARA H
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
TABATA M
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 38 号： 12B ページ： L1544-L1546 発行年： 1999年12月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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