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文献
J-GLOBAL ID：200902104981654465
整理番号：00A0277101
High-purity cubic GaN grown on a AlGaAs buffer layer by molecular beam epitaxy.
KIMURA R
(Teikyo Univ. Sci. and Technol., Yamanashi, JPN)
,
GOTOH Y
(Teikyo Univ. Sci. and Technol., Yamanashi, JPN)
,
MATSUZAWA T
(Teikyo Univ. Sci. and Technol., Yamanashi, JPN)
,
TAKAHASHI K
(Teikyo Univ. Sci. and Technol., Yamanashi, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 209 号： 2/3 ページ： 382-386 発行年： 2000年02月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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