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文献
J-GLOBAL ID：200902104997362804
整理番号：01A0201302
有機金属化学気相蒸着により成長したGaNバッファ層と引続くGaN被覆層におよぼす昇温速度の影響
Influences of temperature ramping rate on GaN buffer layers and subsequent GaN overlayers grown by metalorganic chemical vapor deposition.
WUU D-S
(Da-Yeh Univ., Chang-Hwa, TWN)
,
HORNG R-H
(National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
,
TSENG W-H
(Da-Yeh Univ., Chang-Hwa, TWN)
,
LIN W-T
(Da-Yeh Univ., Chang-Hwa, TWN)
,
KUNG C-Y
(National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 220 号： 3 ページ： 235-242 発行年： 2000年12月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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