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文献
J-GLOBAL ID：200902105005837608
整理番号：00A0382771
NH3を使う分子ビームエピタクシーによって成長させたウルツ鉱型GaN膜の極性の特性評価
Characterization of Polarity of Wurtzite GaN Film Grown by Molecular Beam Epitaxy Using NH3.
SONODA S
(ULVAC JAPAN Ltd., Kanagawa, JPN)
,
SHIMIZU S
(ULVAC JAPAN Ltd., Kanagawa, JPN)
,
SHEN X-Q
(Electrotechinical Lab., Ibaraki, JPN)
,
HARA S
(Electrotechinical Lab., Ibaraki, JPN)
,
OKUMURA H
(Electrotechinical Lab., Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 39 号： 3A/B ページ： L202-L204 発行年： 2000年03月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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