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文献
J-GLOBAL ID：200902105008260859
整理番号：94A0461335
Siゲート付MOS構造陰極からのトンネル放出電子のエネルギー分布
Energy distribution of tunneling emission from Si-gate metal-oxide-semiconductor cathode.
YOKOO K
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SATO S
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
KOSHITA G
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
AMANO I
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
MUROTA J
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
ONO S
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 12 号： 2 ページ： 801-805 発行年： 1994年03月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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