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文献
J-GLOBAL ID：200902105161809363
整理番号：99A0888360
nm厚GaAs-酸化膜層を持つMISダイオードの予備研究
A preliminary study of MIS diodes with nm-thin GaAs-oxide layers.
SUGIMURA T
(Kanazawa Univ., Ishikawa, JPN)
,
TSUZUKU T
(Kanazawa Univ., Ishikawa, JPN)
,
KATSUI T
(Kanazawa Univ., Ishikawa, JPN)
,
KASAI Y
(Kanazawa Univ., Ishikawa, JPN)
,
INOKUMA T
(Kanazawa Univ., Ishikawa, JPN)
,
HASHIMOTO S
(Kanazawa Univ., Ishikawa, JPN)
,
IIYAMA K
(Kanazawa Univ., Ishikawa, JPN)
,
TAKAMIYA S
(Kanazawa Univ., Ishikawa, JPN)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 43 号： 8 ページ： 1571-1576 発行年： 1999年08月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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