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文献
J-GLOBAL ID：200902105201433698
整理番号：95A0782524
直接接着による(110)GaAs上の(001)InP基1.55μm波長レーザの作製 自由方位集積化の展望
Fabrication of (001) InP-based 1.55-μm wavelength lasers on a (110) GaAs substrate by direct bonding (A prospect for free-orientation integration).
OKUNO Y
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
AOKI M
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
TSUCHIYA T
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
UOMI K
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 67 号： 6 ページ： 810-812 発行年： 1995年08月07日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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