文献
J-GLOBAL ID:200902105227096339
整理番号:00A0437167
急速熱処理により再酸化した酸化ハフニウムゲート誘電体超薄膜の熱安定性
Thermal stability and electrical characteristics of ultrathin hafnium oxide gate dielectric reoxidized with rapid thermal annealing.
著者 (5件):
LEE B H
(Univ. Texas at Austin, Texas)
,
KANG L
(Univ. Texas at Austin, Texas)
,
NIEH R
(Univ. Texas at Austin, Texas)
,
QI W-J
(Univ. Texas at Austin, Texas)
,
LEE J C
(Univ. Texas at Austin, Texas)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
76
号:
14
ページ:
1926-1928
発行年:
2000年04月03日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)