文献
J-GLOBAL ID:200902105267337339
整理番号:95A0750208
SiC上に成長させた光ポンプGaNからの自然放出と誘導放出
Spontaneous and stimulated emission from photopumped GaN grown on SiC.
著者 (7件):
ZUBRILOV A S
(A.F. Ioffe Inst., St. Petersburg, SUN)
,
NIKOLAEV V I
(A.F. Ioffe Inst., St. Petersburg, SUN)
,
TSVETKOV D V
(A.F. Ioffe Inst., St. Petersburg, SUN)
,
DMITRIEV V A
(Cree Res. Inc., North Carolina)
,
IRVINE K G
(Cree Res. Inc., North Carolina)
,
EDMOND J A
(Cree Res. Inc., North Carolina)
,
CARTER C H JR
(Cree Res. Inc., North Carolina)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
67
号:
4
ページ:
533-535
発行年:
1995年07月24日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)