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文献
J-GLOBAL ID：200902105359751689
整理番号：00A0834351
比較的低温における6H-SiCのガス中エッチング
Gaseous etching of 6H-SiC at relatively low temperatures.
XIE Z Y
(Kansas State Univ., KS, USA)
,
WEI C H
(Kansas State Univ., KS, USA)
,
LI L Y
(Kansas State Univ., KS, USA)
,
YU Q M
(Kansas State Univ., KS, USA)
,
EDGAR J H
(Kansas State Univ., KS, USA)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 217 号： 1/2 ページ： 115-124 発行年： 2000年07月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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