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文献
J-GLOBAL ID：200902105628017245
整理番号：02A0239557
Fabrication of ZnSe Diodes with CdSe Quantum-Dot Layers by Molecular Beam Epitaxy.
MATSUMURA N
(Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN)
,
ENDO H
(Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN)
,
SARAIE J
(Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN)
資料名：
Physica Status Solidi. B. Basic Research
(Physica Status Solidi. B. Basic Research)
巻： 229 号： 2 ページ： 1039-1042 発行年： 2002年01月08日
JST資料番号： C0599A ISSN： 0370-1972 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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