文献
J-GLOBAL ID:200902105747955059
整理番号:97A0742866
高イオン密度のArとSF6プラズマに曝したAlGaAsとInGaPの損傷研究
Damage investigation in AlGaAs and InGaP exposed to high ion density Ar and SF6 plasmas.
著者 (7件):
LEE J W
(Univ. Florida, Florida)
,
LEE K N
(Univ. Florida, Florida)
,
STRADTMANN R R
(Univ. Florida, Florida)
,
ABERNATHY C R
(Univ. Florida, Florida)
,
PEARTON S J
(Univ. Florida, Florida)
,
HOBSON W S
(Bell Lab., New Jersey)
,
REN F
(Bell Lab., New Jersey)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻:
15
号:
3 Pt 1
ページ:
890-893
発行年:
1997年05月
JST資料番号:
C0789B
ISSN:
0734-2101
CODEN:
JVTAD6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)