文献
J-GLOBAL ID:200902105951986788
整理番号:00A0225916
GaNと関連合金の形態,補償とドーピングへのOMVPE成長圧力の影響
The Influence of OMVPE Growth Pressure on the Morphology, Compensation, and Doping of GaN and Related Alloys.
著者 (8件):
WICKENDEN A E
(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
,
KOLESKE D D
(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
,
HENRY R L
(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
,
GORMAN R J
(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
,
TWIGG M E
(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
,
FATEMI M
(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
,
FREITAS J A JR
(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
,
MOORE W J
(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
29
号:
1
ページ:
21-26
発行年:
2000年01月
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)