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文献
J-GLOBAL ID：200902106096253820
整理番号：98A0099768
ガス源分子ビームエピタクシーで作った波長0.98μmの高出力高効率InGaAs-(In)GaAs(P)-InGaP広幅導波路レーザ
High-Power High-Efficiency 0.98-μm Wavelength InGaAs-(In)GaAs(P)-InGaP Broadened Waveguide Lasers Grown by Gas-Source Molecular Beam Epitaxy.
GOKHALE M R
(Princeton Univ., NJ, USA)
,
DRIES J C
(Princeton Univ., NJ, USA)
,
STUDENKOV P V
(Princeton Univ., NJ, USA)
,
FORREST S R
(Princeton Univ., NJ, USA)
,
GARBUZOV D Z
(Sarnoff Corp., NJ, USA)
資料名：
IEEE Journal of Quantum Electronics
(IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻： 33 号： 12 ページ： 2266-2276 発行年： 1997年12月
JST資料番号： H0432A ISSN： 0018-9197 CODEN： IEJQA7 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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