文献
J-GLOBAL ID:200902106520616211
整理番号:93A0308285
PD吸収を考慮した傾斜PDファセットを有するInGaAsP/InP LD-PDデバイスのレーザダイオードとフォトダイオードの間の結合効率
Coupling Efficiencies between Laser Diodes and Photo Diodes of InGaAsP/InP LD-PD Devices with Inclined PD Facets Considering PD Absorption.
著者 (2件):
SAITO H
(NTT Opto-electronics Lab., Kanagawa)
,
NOGUCHI Y
(NTT Opto-electronics Lab., Kanagawa)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
32
号:
2
ページ:
812-818
発行年:
1993年02月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)