文献
J-GLOBAL ID:200902106571913377
整理番号:99A0268167
1.3μmにおける低電圧高速変調器用の変調ドープSiGe-Si MQW
Modulation Doped SiGe-Si MQW for Low-Voltage High-Speed Modulators at 1.3μm.
著者 (2件):
VONSOVICI A
(Univ. Surrey, Guildford, GBR)
,
VESCAN L
(Forschungszentrum, Julich GmbH, Julich, DEU)
資料名:
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics
(IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻:
4
号:
6
ページ:
1011-1019
発行年:
1998年11月
JST資料番号:
W0734A
ISSN:
1077-260X
CODEN:
IJSQEN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)