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文献
J-GLOBAL ID：200902106774486970
整理番号：95A0459744
SiCの青色発光ダイオード効率のp型層成長温度依存性
Dependence of SiC Blue Light-Emitting Diode Efficiency on the p-Type Layer Growth Temperature.
MATSUSHITA Y
(SANYO Electric Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
UETANI T
(SANYO Electric Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
KUNISATO T
(SANYO Electric Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
SUZUKI J
(SANYO Electric Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
UEDA Y
(SANYO Electric Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
YAGI K
(SANYO Electric Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
YAMAGUCHI T
(SANYO Electric Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
NIINA T
(SANYO Electric Co., Ltd., Osaka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 34 号： 4A ページ： 1833-1834 発行年： 1995年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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