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文献
J-GLOBAL ID：200902106812169542
整理番号：98A0479630
強誘電体メモリFETのための強誘電体材料の研究
Advanced Memory Devices Using High-ε and Ferroelectric Films. Study of Ferroelectric Materials for Ferroelectric Memory FET.
FUJIMORI Y
(ROHM CO., LTD., Kyoto-shi, JPN)
,
IZUMI N
(ROHM CO., LTD., Kyoto-shi, JPN)
,
NAKAMURA T
(ROHM CO., LTD., Kyoto-shi, JPN)
,
KAMISAWA A
(ROHM CO., LTD., Kyoto-shi, JPN)
資料名：
IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)
(IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： E81-C 号： 4 ページ： 572-576 発行年： 1998年04月
JST資料番号： L1370A ISSN： 0916-8524 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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