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文献
J-GLOBAL ID：200902106918270889
整理番号：99A0126519
サブ0.1μMOSFET’sにおけるランダムドーパント誘起によるしきい値電圧低下及びゆらぎ 三次元の“原子論的”シミュレーション研究
Random Dopant Induced Threshold Voltage Lowering and Fluctuations in Sub-0.1μm MOSFET’s: A 3-D “Atomistic” Simulation Study.
ASENOV A
(Univ. Glasgow, Glasgow, GBR)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 45 号： 12 ページ： 2505-2513 発行年： 1998年12月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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