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文献
J-GLOBAL ID：200902107025969210
整理番号：00A0331704
Ge/Si(100)島の発達 島の大きさと温度依存性
Evolution of Ge/Si(100) islands: Island size and temperature dependence.
CHAPARRO S A
(Univ. Texas at El Paso, Texas)
,
ZHANG Y
(Univ. Texas at El Paso, Texas)
,
DRUCKER J
(Univ. Texas at El Paso, Texas)
,
CHANDRASEKHAR D
(Arizona State Univ., Arizona)
,
SMITH D J
(Arizona State Univ., Arizona)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 87 号： 5 ページ： 2245-2254 発行年： 2000年03月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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