文献
J-GLOBAL ID:200902107052462313
整理番号:97A0004735
大容量記憶用の117mm2 3.3V 128Mビット多値NANDフラッシュメモリ
A 117-mm2 3.3-V Only 128-Mb Multilevel NAND Flash Memory for Mass Storage Applications.
著者 (9件):
JUNG T-S
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
CHOI Y-J
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
SUH K-D
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
SUH B-H
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
KIM J-K
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
LIM Y-H
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
KOH Y-N
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
PARK J-W
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
LIM H-K
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)
資料名:
IEEE Journal of Solid-State Circuits
(IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻:
31
号:
11
ページ:
1575-1583
発行年:
1996年11月
JST資料番号:
B0761A
ISSN:
0018-9200
CODEN:
IJSCBC
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)