文献
J-GLOBAL ID:200902107055750441
整理番号:99A0655113
2個のゲート領域を持つ選択リセスエッチしたFET(SRFET)を用いた短チャネル効果の改善
Improvements of Short-Channel Effects using Selectively Recess-etched FET(SRFET) with Two Gate Regions.
著者 (4件):
BURM J
(Sogang Univ., Seoul)
,
CHOI J H
(Sogang Univ., Seoul)
,
KIM D-H
(Seoul National Univ., Seoul)
,
WOO J-C
(Seoul National Univ., Seoul)
資料名:
Journal of the Korean Physical Society
(Journal of the Korean Physical Society)
巻:
34
号:
Supplementary
ページ:
S85-S87
発行年:
1999年04月
JST資料番号:
T0357A
ISSN:
0374-4884
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
韓国 (KOR)
言語:
英語 (EN)