文献
J-GLOBAL ID:200902107089526060
整理番号:93A0653701
低温でSi(111)上に超高真空で堆積させたイットリウム薄膜の界面反応
Interfacial reactions of ultrahigh vacuum deposited yttrium thin films on (111)Si at low temperatures.
著者 (2件):
LEE T L
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHEN L J
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
73
号:
12
ページ:
8258-8266
発行年:
1993年06月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)