文献
J-GLOBAL ID:200902107209227186
整理番号:93A0754330
AlGaAs/GaAs-HEMT-LSIのための大面積で高度に均質なMOVPE成長
Large Area and Highly Uniform MOVPE Growth for AlGaAs/GaAs HEMT LSIs.
著者 (3件):
TOMESAKAI N
(Fujitsu Ltd., Kawasaki, JPN)
,
SUZUKI M
(Fujitsu Ltd., Kawasaki, JPN)
,
KOMENO J
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
資料名:
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
140
号:
8
ページ:
2432-2438
発行年:
1993年08月
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
1945-7111
CODEN:
JESOAN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)