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文献
J-GLOBAL ID：200902107307402417
整理番号：99A0628754
GaN/InGaN/AlGaNの二重ヘテロ構造LEDの作製と特性評価そしてルミネッセンス変換LEDへのアプリケーション
Fabrication and characterization of GaN/InGaN/AlGaN double heterostructure LEDs and their application in luminescence conversion LEDs.
SCHLOTTER P
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoerperphysik, Freiburg, DEU)
,
BAUR J
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoerperphysik, Freiburg, DEU)
,
HIELSCHER C
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoerperphysik, Freiburg, DEU)
,
KUNZER M
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoerperphysik, Freiburg, DEU)
,
OBLOH H
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoerperphysik, Freiburg, DEU)
,
SCHMIDT R
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoerperphysik, Freiburg, DEU)
,
SCHNEIDER J
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoerperphysik, Freiburg, DEU)
資料名：
Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology
(Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology)
巻： B59 号： 1/3 ページ： 390-394 発行年： 1999年05月06日
JST資料番号： T0553A ISSN： 0921-5107 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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