文献
J-GLOBAL ID:200902107308145337
整理番号:93A0745153
高速CMOS-SRAMにおけるホットエレクトロン誘導劣化の回路信頼性
Circuit reliability of hot electron induced degradation in high speed CMOS SRAM.
著者 (2件):
LIEW B-K
(Cypress Semiconductor Corp., California)
,
ALVAREZ A R
(Cypress Semiconductor Corp., California)
資料名:
Proceedings of the IEEE Custom Integrated Circuits Conference
(Proceedings of the IEEE Custom Integrated Circuits Conference)
巻:
1993
ページ:
30.2.1-30.2.4
発行年:
1993年
JST資料番号:
H0843A
ISSN:
0886-5930
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)