文献
J-GLOBAL ID:200902107565040791
整理番号:93A0912643
300kHzと13.56MHzの励起周波数を利用したGaAsとAlGaAsのプラズマエッチング
Plasma etching of GaAs and AlGaAs using 300 kHz and 13.56 MHz excitation frequency.
著者 (4件):
TEWORDT M
(Cavendish Lab., Cambridge, GBR)
,
LAW V J
(Cavendish Lab., Cambridge, GBR)
,
JONES G A C
(Cavendish Lab., Cambridge, GBR)
,
RITCHIE D A
(Cavendish Lab., Cambridge, GBR)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
8
号:
9
ページ:
1775-1778
発行年:
1993年09月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)