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文献
J-GLOBAL ID：200902107634395319
整理番号：96A0391003
予備酸化紫外線-オゾン清浄化によるSiC/SiO2界面状態の除去
Elimination of SiC/SiO2 interface states by preoxidation ultraviolet-ozone cleaning.
AFANAS’EV V V
(Univ. Leuven, Leuven, BEL)
,
STESMANS A
(Univ. Leuven, Leuven, BEL)
,
BASSLER M
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
,
PENSL G
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
,
SCHULZ M J
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
,
HARRIS C I
(Industrial Microelectronic Center, Kista, SWE)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 68 号： 15 ページ： 2141-2143 発行年： 1996年04月08日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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