文献
J-GLOBAL ID:200902107726292400
整理番号:99A0190112
反応性スパッタリングによりSi上にイットリア含有量を制御してヘテロエピタキシャル成長させたイットリア安定化ジルコニア膜の材料特性
Material properties of heteroepitaxial yttria-stabilized zirconia films with controlled yttria contents on Si prepared by reactive sputtering.
著者 (4件):
HORITA S
(Japan Advanced Inst. Sci. and Technol., Ishikawa, JPN)
,
WATANABE M
(Japan Advanced Inst. Sci. and Technol., Ishikawa, JPN)
,
UMEMOTO S
(Japan Advanced Inst. Sci. and Technol., Ishikawa, JPN)
,
MASUDA A
(Japan Advanced Inst. Sci. and Technol., Ishikawa, JPN)
資料名:
Vacuum
(Vacuum)
巻:
51
号:
4
ページ:
609-613
発行年:
1998年12月
JST資料番号:
E0347A
ISSN:
0042-207X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)