文献
J-GLOBAL ID:200902107762380405
整理番号:00A0479679
サブ0.1μmMOSFETの超浅接合のための新しい原子層ドーピング技術
A Novel Atomic Layer Doping Technology for Ultra-shallow Junction in Sub-0.1μm MOSFETs.
著者 (9件):
SONG Y H
(Tohoku Univ., JPN)
,
KIM K Y
(Japan Sci. and Technol. Corp. (CREST), Sendai, JPN)
,
BAE J C
(Tohoku Univ., JPN)
,
KATO K
(Tohoku Univ., JPN)
,
ARAKAWA E
(Tohoku Univ., JPN)
,
KIM K S
(Tohoku Univ., JPN)
,
PARK K T
(Tohoku Univ., JPN)
,
KURINO H
(Tohoku Univ., JPN)
,
KOYANAGI M
(Tohoku Univ., JPN)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
1999
ページ:
505-508
発行年:
1999年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)