文献
J-GLOBAL ID:200902107769249479
整理番号:02A0217212
水素化アモルファスシリコンの表面下における微結晶シリコン核形成サイト
Microcrystalline silicon nucleation sites in the sub-surface of hydrogenated amorphous silicon.
著者 (3件):
FUJIWARA H
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
,
KONDO M
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
,
MATSUDA A
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
資料名:
Surface Science
(Surface Science)
巻:
497
号:
1/3
ページ:
333-340
発行年:
2002年01月20日
JST資料番号:
C0129B
ISSN:
0039-6028
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)