文献
J-GLOBAL ID:200902107825660896
整理番号:93A0253756
化学エッチした多孔質Siの透過電子顕微鏡研究
Transmission electron microscopy study of chemically etched porous Si.
著者 (4件):
SHIH S
(Univ. Texas at Austin, Texas)
,
JUNG K H
(Univ. Texas at Austin, Texas)
,
QIAN R-Z
(Univ. Texas at Austin, Texas)
,
KWONG D L
(Univ. Texas at Austin, Texas)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
62
号:
5
ページ:
467-469
発行年:
1993年02月01日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)